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QFN芯片封裝技術以其獨特的技術特點和廣泛的應用領域，在現代電子產品制造中發揮著越來越重要的作用。
某QFN芯片在經歷SMT封裝后，于上電測試階段暴露出失效問題，具體表現為電源輸出的B5引腳發生對地短路，而芯片外觀及結構均保持完好無損。為深入探究這一失效現象的根源，我們特別選取了4片存在該問題的不良PHY IC與4片同批次且表現正常的良品PHY IC進行對比分析。
1.IV測試
測試結果是NG1~NG4樣品的B5、B23、B25、A30引腳與GND都是短路的。
2.X-RAY測試
用X-RAY測試系統測試NG1~NG4、OK1樣品，觀察NG1~NG4、OK1樣品芯片。X-RAY測試結果未發現NG芯片有明顯異常。
3.CSAM測試
通過測試NG1~NG4、OK1，來確定失效樣品的內部狀態。測試結果是NG1、NG2、NG4、OK1無分層現象，NG3有分層現象，如圖43所示。
4.開封測試
NG1的晶元A30引腳對應綁定線有熔斷現象，NG1~NG4晶元A30對應的位置都有燒毀痕跡，晶元其他位置無明顯異常。NG1~NG4晶元A30引腳燒毀屬于過流燒毀。
5.SEM測試
NG1~NG4的損傷位置一致，都在A30附近，損傷類型都屬于燒毀損傷，說明A30引腳有較大電流流過。
6.模擬測試
芯片的A30引腳正常電壓為3.3V，模擬測試用直流12V進行過壓。對OK4的A30與GND之間接12V直流電，限流200mA，通電不超過1s，反復三次后用IV曲線測試儀測試B23、B25、A30三個引腳的IV曲線，發現對GND都是短路的。然后對OK4進行開封測試，檢查損傷位置與原失效樣品現象一致。
7.總結與建議
結論：導致PHY IC失效的主要原因是：A30引腳在電路中出現過壓而引起的過流燒毀A30引腳對應晶元上的鍵合位置，導致B5、B23、B25對地短路。
建議：
1.做好SMT過程中的ESD防護工作。
2.板級排查過壓來源，避免測試過程中異常電壓的引入。
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