400-850-4050
沒有找到您想要的?
立即咨詢專業工程師為您服務
病例摘要
FE1.1S HUB芯片
裝機服役約3-6個月
突發性功能喪失，導致所在設備USB端口無法識別任何外接設備
同一批次多個“個體”先后出現類似癥狀，更換新芯片后設備暫時恢復正常
病因不明，復發風險高，需進行系統性「尸體解剖」與「病理分析」以查明根本死因
我們常面臨一個典型困境：芯片外觀完好，卻功能盡失。這背后究竟是芯片自身存在設計或工藝的先天缺陷，還是在生產、運輸或使用中受到了外部應力的不可逆損傷？
為此，我們對其展開了一次系統的 “工業診斷”...
外觀檢查
NG樣品外觀圖
芯片體表完好，無破損、燒蝕、變形等外傷跡象。
?? 初步排除機械損傷與外部過熱致死可能。
I-V曲線測試
NG4樣品I-V曲線典型圖
NG5樣品I-V曲線典型圖
對比健康芯片后發現，部分失效芯片的 “11號引腳”對地電阻異常，呈現阻性甚至短路狀態。
?? 這說明內部特定電路節點已受損，如同某條關鍵血管發生了“梗塞”。
無損透視 & 超聲掃描
NG2樣品X-ray檢測圖
NG4樣品X-ray檢測圖
X光（內部結構）：發現部分芯片存在 “銀漿上爬過高” 的工藝瑕疵。這好比局部“組織增生”，在潮濕環境下易引發“遷移感染”（電遷移短路），屬于長期風險。
超聲掃描圖-二焊點
超聲掃描圖-基板
超聲（內部結合）：檢出個別樣本存在內部 “分層” （結合不良）。這類似于“組織粘連不牢”，影響長期健康，但并非本次急性死亡的直接原因。
?? 發現了一些“慢性病”跡象，但還不是導致本次“猝死”的致命一刀。
開封內部觀察
NG樣品開封圖
去除外殼后，直接觀察芯片晶圓表面，仍未發現明顯壞死（燒毀）點，且異常電性能依舊存在。
?? 這基本排除了“銀漿遷移”導致急性短路的可能，病因繼續向更深處隱藏。
Thermal EMMI熱點定位 & 剝離分析
NG4樣品定位分析圖
NG5樣品定位分析圖
這是關鍵一步。我們利用Thermal EMMI技術，像使用紅外熱成像儀一樣，定位芯片在工作時的異常發熱點。在異常的11號引腳附近，靜電保護電路區域出現了異常“高熱”信號。
NG4樣品亮點位置形貌圖
NG4樣品相同OK區域形貌圖
通過化學方法逐層剝離（類似病理切片），在該區域觀察到了微米級的燒毀形貌。
?? 至此，兇器露出端倪：損傷集中在芯片的“免疫系統”——靜電保護電路上。
驗證實驗：重現“現場”
OK樣品人體靜電實驗圖
推測是靜電擊穿，但需要證實。我們對健康芯片進行了 “靜電攻擊模擬實驗” 。對同型號健康芯片的相同引腳，施加標準的人體模型（HBM）靜電脈沖。
靜電模擬實驗后芯片剝離后SEM圖
當靜電電壓達到4-4.4 kV時，芯片在完全相同的保護電路位置被擊穿，且擊穿損傷的微觀形貌與失效芯片的燒毀特征高度一致。
?? 該失效芯片曾暴露在靜電放電環境中，保護電路受到隱性損傷。隨后在多次正常上電工作中，損傷點不斷惡化，最終導致保護電路燒毀，功能徹底喪失。
?? 最終診斷
直接原因：芯片內部出現燒毀。
根本原因：芯片承受了較大的靜電損傷，在后續的上電過程中，擊穿位置出現燒毀，最終導致芯片失效。
??? 治療建議
加強芯片在運輸及使用過程中的靜電防護。
芯片本身存在可靠性應用風險，與物料供應商溝通改良。
在你們的工作中，是否有過因靜電導致的“懸案”？后來是如何破案并建立防線的？或者，你對ESD防護有哪些獨到的經驗和困惑？
美信檢測實驗室
了解公司更多資訊
MTTlab-電子制造
查看更多精彩案例
MTTlab-高分子材料
查看更多精彩案例
MTTlab-金屬材料
查看更多精彩案例
視頻號
查看更多精彩視頻
深圳：深圳市寶安區松柏路北大科創園A1、A3、A5棟蘇州：蘇州市蘇州工業園區長陽街415號信藥谷3棟蘇州市蘇州工業園區岸芷街39號內4號樓1樓西安：西安市未央區尚苑路秦創原新材料產業創新中心（北門）6幢1樓
