印制板及其組件(PCB&PCBA)是電子產(chǎn)品的核心部件,PCB&PCBA的可靠性直接決定了電子產(chǎn)品的可靠性。為了保證和提高電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性,對失效進(jìn)行全面的理化分析,確認(rèn)失效的內(nèi)在機(jī)理,從而有針對性地提出改善措施。
電子元器件失效分析的目的是借助各種測試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象,分辨其失效模式和失效機(jī)理,確認(rèn)最終的失效原因,提出改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造工藝的建議,防止失效的重復(fù)出現(xiàn),提高元器件可靠性。
集成電路復(fù)雜度與性能要求的持續(xù)攀升,疊加設(shè)計(jì)、制造、封裝及應(yīng)用環(huán)節(jié)的潛在風(fēng)險(xiǎn),導(dǎo)致短路、開路、漏電、燒毀、參數(shù)漂移等關(guān)鍵失效模式頻發(fā)。這不僅造成昂貴的器件報(bào)廢與系統(tǒng)宕機(jī),更常引發(fā)設(shè)計(jì)方、代工廠、封測廠與終端用戶間的責(zé)任爭議,帶來重大經(jīng)濟(jì)損失與信譽(yù)風(fēng)險(xiǎn)。
高分子材料性能要求持續(xù)提升,而客戶對高要求產(chǎn)品及工藝的理解差異,導(dǎo)致斷裂、開裂、腐蝕、變色等典型失效頻發(fā),常引發(fā)供應(yīng)商與用戶間的責(zé)任糾紛及重大經(jīng)濟(jì)損失。
金屬構(gòu)件服役環(huán)境日益苛刻,對材料性能和結(jié)構(gòu)可靠性提出更高要求。然而,設(shè)計(jì)缺陷、材料瑕疵、制造偏差或不當(dāng)使用等因素,極易引發(fā)疲勞斷裂、應(yīng)力腐蝕開裂、氫脆、蠕變、磨損、過載變形等典型失效。
美信檢測以海量失效數(shù)據(jù)庫構(gòu)建技術(shù)優(yōu)勢,全譜系案例、復(fù)雜場景方案、頭部企業(yè)合作及體系化知識(shí)產(chǎn)權(quán),各展其能。憑借百萬級失效解析積累,精準(zhǔn)洞察本質(zhì),讓檢測報(bào)告為客戶質(zhì)量升級提供有力支撐,實(shí)現(xiàn)失效歸零。
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X-Ray照過、切片做過、電測全過,板子還是壞了?真相只有一個(gè):柯肯達(dá)爾空洞

發(fā)布時(shí)間: 2026-04-15 00:00
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Q:出廠X-Ray透視全過,切片報(bào)告干凈,焊點(diǎn)外觀完美,為什么客戶端還是偶發(fā)不開機(jī)?

A:柯肯達(dá)爾空洞

Q:高溫老化箱里跑了1000小時(shí),電測一切正常,為什么裝機(jī)三個(gè)月后就時(shí)好時(shí)壞?

A:柯肯達(dá)爾空洞

Q:紅墨水染了,推拉力拉了,SEM下界面IMC厚度也量了,數(shù)據(jù)都在規(guī)格內(nèi),為什么還是找不到根因?

A:柯肯達(dá)爾空洞

Q:所以,柯肯達(dá)爾空洞究竟是什么?


1.柯肯達(dá)爾空洞?

柯肯達(dá)爾空洞(Kirkendall Void)源于冶金學(xué)中的柯肯達(dá)爾效應(yīng):兩種金屬互擴(kuò)散時(shí),因原子擴(kuò)散速率不同,擴(kuò)散快的一側(cè)會(huì)形成空位并聚集成孔洞(高溫會(huì)顯著加速這一過程)。

典型柯肯達(dá)爾( Kirkendall )空洞

典型柯肯達(dá)爾( Kirkendall )空洞

在半導(dǎo)體封裝中,這類空洞常出現(xiàn)在金屬間化合物(IMC)鍵合界面附近,導(dǎo)致電路接觸電阻增大甚至開路失效。

典型實(shí)例為金鋁(Au-Al)鍵合體系:金原子向鋁中的擴(kuò)散速率遠(yuǎn)大于鋁原子向金中的擴(kuò)散速率(D_Au ? D_Al),金線側(cè)因原子凈流出產(chǎn)生大量空位并聚集形成柯肯達(dá)爾空洞。空洞會(huì)誘發(fā)界面微裂紋擴(kuò)展,最終引發(fā)鍵合點(diǎn)開路失效。


2.典型失效案例

某公司送檢一批SMT貼裝后不開機(jī)的DDR(內(nèi)存芯片)樣品,初步懷疑焊接不良。然而X-Ray、CT無損檢測及紅墨水染色、切片分析均顯示BGA焊球完好,未見橋連、空焊或開裂跡象。

CT掃描圖與紅墨水染色圖

CT掃描、紅墨水染色

切片分析圖與C-SAM掃描圖

切片分析圖與C-SAM掃描圖

分析轉(zhuǎn)向芯片內(nèi)部封裝與鍵合質(zhì)量。經(jīng)FIB離子研磨和SEM觀察,真相浮現(xiàn):鍵合點(diǎn)處發(fā)現(xiàn)連續(xù)裂紋,位于金鋁IMC界面——典型的柯肯達(dá)爾空洞失效。

案例分析圖

案例分析圖

這種失效的隱蔽性在于其"出廠后才發(fā)作"的特性:出廠電測時(shí)金鋁IMC尚未退化,空洞未形成;但設(shè)備運(yùn)行發(fā)熱或遭遇高溫環(huán)境后,因金鋁擴(kuò)散速率差異(D_Au ? D_Al)在金線側(cè)聚集空位,空洞逐漸擴(kuò)大,最終阻值上升直至開路。


3.針對常見焊點(diǎn)界面柯肯達(dá)爾空洞,普遍的應(yīng)對措施包括:

  1. 由于柯肯達(dá)爾空洞源于異種金屬擴(kuò)散速率差異,最有效的思路是在Cu/Sn或Au/Al等異種金屬界面增加阻擋層(如鎳、鈦鎢),抑制互擴(kuò)散和金屬間化合物過度生長。盡管隨著微凸點(diǎn)尺寸縮小,阻擋層厚度相應(yīng)減薄導(dǎo)致抑制性能下降,但在當(dāng)前工藝下,Ni仍是可靠的防線。

  2. 在微間距制造趨勢下,可向無鉛焊料中添加微量合金元素(如鍺Ge),有效調(diào)控界面IMC(如Cu?Sn?)的生長動(dòng)力學(xué),抑制有害相(如Cu?Sn)的生成。

  3. 除阻擋層外,精細(xì)的工藝管控同樣關(guān)鍵。例如,優(yōu)化Ni層磷含量(通常7-11 wt%,高磷鎳耐蝕性更佳),平衡耐蝕性與IMC生長速率;控制焊接溫度曲線(峰值溫度、液相時(shí)間),避免過度擴(kuò)散。同時(shí),適當(dāng)延長回流焊的液相線以上時(shí)間,可促進(jìn)IMC均勻生長,減少界面缺陷。

  4. 高溫加速擴(kuò)散是空洞生長的催化劑。無論是焊點(diǎn)內(nèi)部還是芯片外圍,做好散熱設(shè)計(jì)(降低工作結(jié)溫)、嚴(yán)格把控極限溫度下的暴露時(shí)間,對抑制空洞均有積極意義。


PCBA失效分析中,若常規(guī)外觀檢查、X-Ray及紅墨水試驗(yàn)均未發(fā)現(xiàn)BGA焊球異常,可以排查封裝內(nèi)部鍵合點(diǎn)的柯肯達(dá)爾空洞,這將為解決疑難雜癥提供關(guān)鍵突破口。

每一次微觀世界的空洞,都可能是產(chǎn)品生命周期中的巨大暗礁,建議在研發(fā)試產(chǎn)階段導(dǎo)入高溫存儲(chǔ)壽命測試(HTST)或嚴(yán)苛的溫度循環(huán)試驗(yàn),模擬元器件長期服役中的界面老化,提前暴露潛在的柯肯達(dá)爾失效風(fēng)險(xiǎn),別等到客戶口碑出現(xiàn)"空洞",再回頭補(bǔ)救。

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