







Q:出廠X-Ray透視全過,切片報(bào)告干凈,焊點(diǎn)外觀完美,為什么客戶端還是偶發(fā)不開機(jī)?
A:柯肯達(dá)爾空洞
Q:高溫老化箱里跑了1000小時(shí),電測一切正常,為什么裝機(jī)三個(gè)月后就時(shí)好時(shí)壞?
A:柯肯達(dá)爾空洞
Q:紅墨水染了,推拉力拉了,SEM下界面IMC厚度也量了,數(shù)據(jù)都在規(guī)格內(nèi),為什么還是找不到根因?
A:柯肯達(dá)爾空洞
Q:所以,柯肯達(dá)爾空洞究竟是什么?
1.柯肯達(dá)爾空洞?
柯肯達(dá)爾空洞(Kirkendall Void)源于冶金學(xué)中的柯肯達(dá)爾效應(yīng):兩種金屬互擴(kuò)散時(shí),因原子擴(kuò)散速率不同,擴(kuò)散快的一側(cè)會(huì)形成空位并聚集成孔洞(高溫會(huì)顯著加速這一過程)。
典型柯肯達(dá)爾( Kirkendall )空洞
在半導(dǎo)體封裝中,這類空洞常出現(xiàn)在金屬間化合物(IMC)鍵合界面附近,導(dǎo)致電路接觸電阻增大甚至開路失效。
典型實(shí)例為金鋁(Au-Al)鍵合體系:金原子向鋁中的擴(kuò)散速率遠(yuǎn)大于鋁原子向金中的擴(kuò)散速率(D_Au ? D_Al),金線側(cè)因原子凈流出產(chǎn)生大量空位并聚集形成柯肯達(dá)爾空洞。空洞會(huì)誘發(fā)界面微裂紋擴(kuò)展,最終引發(fā)鍵合點(diǎn)開路失效。
2.典型失效案例
某公司送檢一批SMT貼裝后不開機(jī)的DDR(內(nèi)存芯片)樣品,初步懷疑焊接不良。然而X-Ray、CT無損檢測及紅墨水染色、切片分析均顯示BGA焊球完好,未見橋連、空焊或開裂跡象。
CT掃描、紅墨水染色
切片分析圖與C-SAM掃描圖
分析轉(zhuǎn)向芯片內(nèi)部封裝與鍵合質(zhì)量。經(jīng)FIB離子研磨和SEM觀察,真相浮現(xiàn):鍵合點(diǎn)處發(fā)現(xiàn)連續(xù)裂紋,位于金鋁IMC界面——典型的柯肯達(dá)爾空洞失效。
這種失效的隱蔽性在于其"出廠后才發(fā)作"的特性:出廠電測時(shí)金鋁IMC尚未退化,空洞未形成;但設(shè)備運(yùn)行發(fā)熱或遭遇高溫環(huán)境后,因金鋁擴(kuò)散速率差異(D_Au ? D_Al)在金線側(cè)聚集空位,空洞逐漸擴(kuò)大,最終阻值上升直至開路。
3.針對常見焊點(diǎn)界面柯肯達(dá)爾空洞,普遍的應(yīng)對措施包括:
由于柯肯達(dá)爾空洞源于異種金屬擴(kuò)散速率差異,最有效的思路是在Cu/Sn或Au/Al等異種金屬界面增加阻擋層(如鎳、鈦鎢),抑制互擴(kuò)散和金屬間化合物過度生長。盡管隨著微凸點(diǎn)尺寸縮小,阻擋層厚度相應(yīng)減薄導(dǎo)致抑制性能下降,但在當(dāng)前工藝下,Ni仍是可靠的防線。
在微間距制造趨勢下,可向無鉛焊料中添加微量合金元素(如鍺Ge),有效調(diào)控界面IMC(如Cu?Sn?)的生長動(dòng)力學(xué),抑制有害相(如Cu?Sn)的生成。
除阻擋層外,精細(xì)的工藝管控同樣關(guān)鍵。例如,優(yōu)化Ni層磷含量(通常7-11 wt%,高磷鎳耐蝕性更佳),平衡耐蝕性與IMC生長速率;控制焊接溫度曲線(峰值溫度、液相時(shí)間),避免過度擴(kuò)散。同時(shí),適當(dāng)延長回流焊的液相線以上時(shí)間,可促進(jìn)IMC均勻生長,減少界面缺陷。
高溫加速擴(kuò)散是空洞生長的催化劑。無論是焊點(diǎn)內(nèi)部還是芯片外圍,做好散熱設(shè)計(jì)(降低工作結(jié)溫)、嚴(yán)格把控極限溫度下的暴露時(shí)間,對抑制空洞均有積極意義。
PCBA失效分析中,若常規(guī)外觀檢查、X-Ray及紅墨水試驗(yàn)均未發(fā)現(xiàn)BGA焊球異常,可以排查封裝內(nèi)部鍵合點(diǎn)的柯肯達(dá)爾空洞,這將為解決疑難雜癥提供關(guān)鍵突破口。
每一次微觀世界的空洞,都可能是產(chǎn)品生命周期中的巨大暗礁,建議在研發(fā)試產(chǎn)階段導(dǎo)入高溫存儲(chǔ)壽命測試(HTST)或嚴(yán)苛的溫度循環(huán)試驗(yàn),模擬元器件長期服役中的界面老化,提前暴露潛在的柯肯達(dá)爾失效風(fēng)險(xiǎn),別等到客戶口碑出現(xiàn)"空洞",再回頭補(bǔ)救。





